Em 1995, o laser de rubi (694nm) foi utilizado para a remoção de pêlos indesejados. Em 1996, o laser de granada de alumínio dopado com esmeralda (755nm) e neodímio (1064nm) foi também utilizado para a remoção de pêlos indesejados; em 1998, o laser semicondutor (810nm) foi desenvolvido para a remoção de pêlos e acabou por se tornar o padrão de ouro para comprimentos de onda para projectos de remoção de pêlos. A primeira geração de aparelhos de depilação a laser, os aparelhos de 694nm e 755nm, foram concebidos com o conceito de “queimar” o folículo piloso, utilizando uma energia muito elevada para aquecer o folículo piloso e a área da raiz do pêlo a 60-70 graus Celsius para alcançar o efeito de destruição do folículo. A segunda geração de dispositivos de depilação a laser, o laser de depilação convencional semicondutor 810nm, ainda é lenta e dolorosa, embora o risco de queimaduras seja reduzido devido à fraca absorção de melanina na camada celular basal. Os cientistas descobriram que quando a temperatura da área do folículo piloso é elevada a cerca de 45 graus Celsius e mantida durante um período de tempo, o folículo piloso e as células estaminais de crescimento em torno do folículo piloso são destruídos e ocorre a apoptose, resultando na remoção de pêlos indesejados.